更新于 12月13日

刻蚀工艺工程师

1.2万-2.2万
  • 苏州虎丘区
  • 3-5年
  • 本科
  • 全职
  • 招1人

职位描述

工艺设计刻蚀工艺圆晶芯片
岗位职责: 1、负责新产品新结构干法刻蚀的评估验证以及工艺开发; 2、负责干法刻蚀过程中的数据收集、及异常问题分析与解决,持续优化工艺; 3、负责已开发产品的量产导入工作,制订和维护刻蚀相关的工艺文件,包括FEMA,CP,SOP等; 4、协助市场需求评估以及部门负责人安排的其他工作。
任职要求: 1、本科及以上学历,微电子、材料、半导体物理、集成电路工程、物理和化学等相关专业,具有3年以上硅基半导体工艺开发经验者优先; 2、有半导体工艺工作经验,对半导体无源器件有一定的了解。熟悉常规刻蚀以及Bosch工艺,具有深硅Trench/cavity/TSV刻蚀工艺及金属,介质层等刻蚀工艺技术者优先考虑; 3、做事认真,服从管理,吃苦耐劳,有责任心; 4、具备良好的沟通协作能力和团队合作精神,能承受一定的工作压力;具备自我学习能力和自我管理能力,可独立完成交代任务。 5、英语能力良好,具备查阅、阅读文献能力。

工作地点

苏州苏纳光电有限公司

职位发布者

冯女士/人事

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公司Logo苏州苏纳光电有限公司
苏州苏纳光电有限公司依托“中科院苏州纳米所”、“中科院纳米器件与应用重点实验室”的科研成果为技术依托,立足于材料生长技术和器件工艺开发的持续创新,努力在光通信、激光测距、监控与测量、医学成像、红外照明与防伪等产业领域为下游客户带来核心价值。公司重点开展基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)的红外波段InGaAs PIN/PD/APD及阵列、InGaAs短波红外焦平面、近红外F-P/DFB激光器(LD)、垂直腔面发射激光器(VCSEL);Si基PD/APD;宽禁带(In)GaN、AlInN/GaN量子结构材料的制备;高效、柔性太阳能电池等方面的工作。目前公司针对企业、高校和研究所的不同用户,主要提供如下产品:一、InGaAs PIN/PD/APD(λ=1310/1550nm);二、InGaAsF-P激光器(λ=1310/1550nm);三、SiPIN/PD/APD(λ=635/905/1060nm)。公司承接各类GaAs/InP基、GaN、Si基等光电器件的材料设计/生长/测试及相关器件工艺加工等。苏纳光电立足于材料生长技术和器件工艺的持续创新,努力在始终遵奉“以客为尊”、“以质为荣”、“持续改进”、“争创品牌”的经营理念;坚持以市场为核心,使电子元器件的市场占有率逐步提高,竭诚欢迎各行业用户莅临参观考察、洽谈合作。
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