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半导体器件研发工程师

1-1.5万
  • 徐州贾汪区
  • 3-5年
  • 本科
  • 全职
  • 招1人

职位描述

AutoCADTCAD
岗位职责: 1、负责氮化镓半导体功率器件设计,包括器件结构设计,版图设计,工艺流程设计; 2、参与氮化镓新产品研发,包括新产品结构优化,芯片工艺调试和优化,工艺流程改进,器件性能测试分析,产品良率提升; 3、参与研发部的研发任务与工艺改进的分析和实施; 4、参与研发项目的可行性分析与报告提交。 任职要求: 1、本科以上学历,物理,化学,材料,机械,电子,微电子及相关专业; 2、熟悉氮化镓半导体器件制造相关工艺流程和原理; 3、具有创造性思维能力和工作协调能力,并积极地发现问题解决问题; 4、有氮化镓功率器件设计经验者,以及AUTOCAD,TCAD, LEDIT半导体器件或集成电路版图设计经验者优先; 5、具有高度的责任心、很强的团队意识、创新意识,具有良好的抗压能力、学习能力、沟通能力和表达能力。 6、诚实正直,善于思考,做事严谨,勇于承担责任。
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工作地点

徐州贾汪区江苏镓宏半导体有限公司
以担保或任何理由索要财物,扣押证照,均涉嫌违法。一经发现,

职位发布者

祁霄霄/HR

昨日活跃
立即沟通
江苏镓宏半导体有限公司
江苏镓宏半导体有限公司成立于2021年,是香港上市公司宏光半导体投资的全资子公司。项目发起人为氮化镓领域领军人物,以业内领先的氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品,充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势,汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源,组织筹建新型的IDM产品平台,助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。公司租赁原晶旺光电生产车间约7000平方米、办公楼约2600平方米。建设2条氮化镓功率器件芯片生产中试线,用于研发和生产氮化镓外延片、功率器件芯片及其相关应用。已经投资3.3亿元,其中2亿元用于厂房升级改造和设备采购,包括金属有机化合物气相沉积系统、全自动光刻机、等离子体刻蚀机、涂胶显影机、干法刻蚀机等设备200余台套,年生产氮化镓功率器件芯片8000万颗。公司核心团队结合了掌握氮化镓工艺核心技术的美国团队和具有丰富的硅集成电路生产管理经验的台湾团队,拥有全面驾驭产业和市场发展的实力。公司将依托核心团队对第三代半导体氮化镓功率器件设计、外延生长、芯片工艺、封装测试、模组系统等关键技术的研发经验,以及国际半导体企业成熟的管理体系相结合,建立氮化镓功率芯片国产化的技术开发平台。
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