北京超弦存储器研究院于2020年9月在北京经济技术开发区成立。作为产学研合作平台，研究院聚焦国际先进的存储器技术研发和高端人才培养，致力于实现国产存储器芯片制造技术的持续迭代，努力成长为世界存储器芯片的技术创新高地。研究院的研究方向集中于DRAM制造技术的尺寸微缩，在DRAM新架构、新材料、新工艺、先进封装、先进光刻技术、近存计算和高带宽存储等领域，对未来DRAM量产技术可能存在的主要路径开展系统的工艺研发和设计-制造协同优化。目前主要的研究项目包括4F2垂直围栅晶体管动态随机存储器、铟镓锌氧场效应晶体管动态随机存储器、横向堆叠单元存储器、垂直围栅晶体管磁存储器等基于新器件结构的存储器制造技术；基于混合键合技术的高带宽存储器芯片和近存计算、存内计算等芯片的设计和制造；以及先进DRAM制造中的关键光刻技术和设计技术方法学研究等。研究院拥有12英寸先进DRAM研发所需的硬件条件，包括传统的1X DRAM全流程基础工艺和一系列由特种装备构成的短流程特色工艺；设计制造协同优化所需的软件平台；以及具有丰富的芯片工艺和设计研发经验的技术团队。研究院与清华大学、北京大学、中国科学院微电子研究所等国内外领先的高校院所和集成电路行业领军企业建立了紧密的合作关系，开展基于项目的研发合作。同时，研究院与上述三家院所在人才联合培养方面开展了系统而紧密的合作，为产业研究生的培养提供了研发和实训平台。