更新于 11月26日

芯片研发工程师(功率芯片)

2万-2.5万·15薪
  • 南京江宁区
  • 5-10年
  • 硕士
  • 全职
  • 招4人

职位描述

功率芯片SIC,IGBT芯片设计芯片工艺
岗位职责:
1、执行新产品开发计划方案,总结产品研发经验,持续改进产品性能,根据用户或公司其他部门的要求进行设计修改和设计改进。
2、芯片、分立器件的材料设计、结构设计、工艺设计、版图设计;
3、芯片、分立器件的工艺实施和质量控制;
4、新产品立项、开发和生产技术管理;
5、器件特性研究及Datasheet制作;
6、失效分析及售后服务技术支持。

任职要求:
1、研究生及以上学历,从事SIC微电子或相关IGBT、VDMOS等行业研发工作5年以上;
2、有良好的沟通、协调、组织和团队建设能力;
3、有很强的判断、决策、计划与执行能力;
4、高度的工作热情、严谨的工作态度与超强的责任感,良好的职业道德;
5、德才兼备,求实认真,开拓创新;有良好的个人品质。

工作地点

南京55研究新所
以担保或任何理由索要财物,扣押证照,均涉嫌违法。一经发现,
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职位发布者

左女士/招聘主管

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南京第三代半导体技术创新中心有限公司
国家第三代半导体技术创新中心(南京)(以下简称“南京中心”)是国家级创新平台。南京中心坐落于南京市江宁区,充分发挥南京丰富的基础研究、应用基础研究和技术创新资源优势,主攻电力电子、光电子、射频电子等应用领域。南京中心以关键技术研发为核心使命,产学研协同推动科技成果转移转化与产业化,为区域和产业发展提供源头技术供给,为科技型中小企业孵化、培育和发展提供创新服务,为支撑产业向中高端迈进、实现高质量发展发挥战略引领作用。南京中心现拥有国内顶尖的第三代半导体器件研发技术团队,核心技术全国领先,国际先进。该团队由中国电科首席专家柏松领衔,拥有博士以上学历13人,高级以上职称12人。IntroductionNational Center of Technology Innovation for Wide BandGap Semiconductors(Nanjing) is a state-level technology innovation center, located in Jiangning District, Nanjing,Nanjing Center was set up to develope power electronics, optoelectronics, RF electronics and other electronic device technologies,giving its full play to the local advantages in fundamental researches, applied researches and technological innovation ability. Nanjing Center will cooperate together with industries, universities and research institutes to promote the technological progress and the achievement transformation of science and technology. Nanjing Center will continuously commit itself to providing technical sources for regional and industrial development, offering services for cultivating and developing small-and medium-sized enterprises, leading industries to middle and high-end and achieve high-quality development.Nanjing Center has established an R&D team which is among the best in China for wide bandgap semiconductor devices. The research team led by Bai Song, chief expert of CETC, consists of over ten doctors, and a number of senior engineers.
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